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Kingston ValueRAM - DDR5 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 262 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - sin búfer - on-die E
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  • Kingston ValueRAM - DDR5 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 262 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - sin búfer - on-die E
Kingston ValueRAM - DDR5 - módulo - 8 GB - SO DIMM de 262 contactos - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - sin búfer - on-die E

Memoria Ram Kingston ValueRAM - DDR5 - módulo - 8 GB - SODIMM de 262 contactos - 4800 MHz - sin búfer - on-die E

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KVR48S40BS6-8
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Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40
Características
Memoria interna
8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8 GB
Tipo de memoria interna
DDR5
Velocidad de memoria del reloj
4800 MHz
Componente para
Portátil
Forma de factor de memoria
262-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
On-Die ECC
Sí
Latencia CAS
40
Clasificación de memoria
1
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Tiempo activo en fila
32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Placa de plomo
Oro
Estándar JEDEC
Sí
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Certificados de sostenibilidad
RoHS
Peso y dimensiones
Ancho
69,6 mm
Altura
30 m
Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS6-8. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40
Características
Memoria interna
8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8 GB
Tipo de memoria interna
DDR5
Velocidad de memoria del reloj
4800 MHz
Componente para
Portátil
Forma de factor de memoria
262-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
On-Die ECC
Sí
Latencia CAS
40
Clasificación de memoria
1
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Tiempo activo en fila
32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP)
1,8 V
Placa de plomo
Oro
Estándar JEDEC
Sí
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
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Certificados de sostenibilidad
RoHS
Peso y dimensiones
Ancho
69,6 mm
Altura
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